IPW60R037CSFD
제조 업체:
인피니온 테크놀로지
기술:
고성능_NEW
범주:
반도체
상술
트랜지스터 극성:
엔-채널
상품 카테고리:
MOSFET
전형적 턴 온 지연 시간:
53ns
하위범주:
MOSFET
Pd 전원 산재:
245 Ｗ
Vgs-게이트-소스 전압:
-20V, +20V
최소 작동 온도:
-55C
패키지:
튜브
강하 시간:
6ns
제조업자:
인피니온 테크놀로지
공장 포장 수량:
240
전형적 정지 지연 시간:
196ns
구성:
싱글
제품 종류:
MOSFET
최대 작업 온도:
+ 150 Ｃ
상승 시간:
30 나노 초
채널 수:
1개 채널
상표:
인피니온 테크놀로지
Qg-게이트 충전:
136nC
id - 연속적인 배수 전류:
54 A
트랜지스터형:
N채널 1개
설치 방식:
구멍을 통해
패키지 / 박스:
TO-247-3
채널 모드:
향상
기술:
Si
Vds-드레인 소스 항복 전압:
650 Ｖ
저항에 대한 Rds 온드레인 소스:
37m옴
Vgs th- 게이트-소스 임계값 전압:
3.5 Ｖ
소개
Infineon Technologies의 IPW60R037CSFD는 MOSFET입니다. 우리가 제공하는 것은 글로벌 시장에서 경쟁력있는 가격으로,상품에 대해 더 많이 알고 싶거나 저렴한 가격을 신청하면, 온라인 채팅을 통해 저희에게 연락하거나 우리에게 요금을 보내십시오!
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