SIR610DP-T1-RE3
제조 업체:
실리코닉스 / 비샤이
기술:
MOSFET 200V PowerPAK SO-8 일반 Rds(on) 24mohm
범주:
반도체
상술
트랜지스터 극성:
엔-채널
상품 카테고리:
MOSFET
증가하는 방식:
SMD/SMT
상표명:
썬더펫
최소 동작 온도:
- 55 Ｃ
패키지 / 케이스:
PowerPAK-SO-8
최대 작업 온도:
+ 150 Ｃ
Vds - 드레인-소스 항복 전압:
200 Ｖ
포장:
릴
브그스 번째 - 게이트 소스 임계전압:
4V
Id - 연속배수 경향:
35.4A
Rds에 - 드레인-소스 저항:
23.9mΩ
채널 수:
1개 채널
브그스 - 게이트-소스 전압:
20 Ｖ
큐그 - 게이트전하:
20 nC
제조업자:
Siliconix / 비쉐이
소개
실리코닉스/비샤이의 SIR610DP-T1-RE3는 MOSFET입니다. 우리가 제공하는 것은 글로벌 시장에서 경쟁력 있는 가격으로,상품에 대해 더 많이 알고 싶거나 저렴한 가격을 신청하면, 온라인 채팅을 통해 저희에게 연락하거나 우리에게 요금을 보내십시오!
Related Products
SQJ974EP-T1_GE3
MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
SIR871DP-T1-GE3
MOSFET P Ch -100Vds 20Vgs
SUM70060E-GE3
MOSFET 100V Vds 131A Id 0.0056Vgs Rds(On)
SQJ479EP-T1 GE3
MOSFET P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
SIR680DP-T1-RE3
MOSFET N-Channel 80V PowerPAK SO-8
SQ2361ES-T1_GE3
MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
SUM10250E-GE3
MOSFET N Ch 250Vds 20Vgs
SI7972DP-T1-GE3
MOSFET Dual N-Ch 30V Vds 7.1nC Qg Typ
SUM90P10-19L-E3
MOSFET 100V 90A 375W 19mohm @ 10V
SQJ457EP-T1_GE3
MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
| 이미지 | 부분 # | 기술 | |
|---|---|---|---|
|
|
SQJ974EP-T1_GE3 |
MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
|
|
|
|
SIR871DP-T1-GE3 |
MOSFET P Ch -100Vds 20Vgs
|
|
|
|
SUM70060E-GE3 |
MOSFET 100V Vds 131A Id 0.0056Vgs Rds(On)
|
|
|
|
SQJ479EP-T1 GE3 |
MOSFET P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
|
|
|
|
SIR680DP-T1-RE3 |
MOSFET N-Channel 80V PowerPAK SO-8
|
|
|
|
SQ2361ES-T1_GE3 |
MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
|
|
|
|
SUM10250E-GE3 |
MOSFET N Ch 250Vds 20Vgs
|
|
|
|
SI7972DP-T1-GE3 |
MOSFET Dual N-Ch 30V Vds 7.1nC Qg Typ
|
|
|
|
SUM90P10-19L-E3 |
MOSFET 100V 90A 375W 19mohm @ 10V
|
|
|
|
SQJ457EP-T1_GE3 |
MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
|
가격 요구를 보내세요
주식:
MOQ: