IXDN609SIA
제조 업체:
IXYS 통합 회로
기술:
게이트 드라이버 9A Low-Side Ultrafast MOSFET
범주:
반도체
상술
작동 공급전류:
10 uA
상품 카테고리:
게이트 드라이버
종류:
비반전
패키지 / 케이스:
SOIC-8
공급 전압 - 맥스:
35 Ｖ
포장:
튜브
공급 전압 - 민:
4.5V
상승 시간:
22 나노 초
시리즈:
IXDN609
강하 시간:
15 나노 초
제조업자:
IXYS 통합 회로
소개
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