BF862
제조 업체:
NXP 반도체
기술:
RF JFET 트랜지스터 JFET N-CH 20V 10MA
범주:
반도체
상술
트랜지스터 극성:
엔-채널
기술:
Si
상품 카테고리:
RF JFET 트랜지스터
증가하는 방식:
SMD/SMT
트랜지스터형:
접합형 전기 분해 효과 트랜지스터
Pd - 전력 소모:
300mW
패키지 / 케이스:
SOT-23
Vds - 드레인-소스 항복 전압:
20 Ｖ
포장:
릴
최대 배수 게이트 전압:
20 Ｖ
Id - 연속배수 경향:
40 마
Vgs - 게이트 소스 항복 전압:
- 20 Ｖ
제조업자:
NXP 반도체
소개
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