상술
트랜지스터 극성:
엔-채널
기술:
GaN SiC
상품 카테고리:
RF JFET 트랜지스터
증가하는 방식:
SMD/SMT
이득:
19 dB
트랜지스터형:
HEMT
출력 전력:
24W
패키지 / 케이스:
QFN-8
최대 작업 온도:
+ 85 C
Vds - 드레인-소스 항복 전압:
28 V
포장:
트레이
Id - 연속배수 경향:
817mA
Vgs - 게이트 소스 항복 전압:
100 V
Pd - 전력 소모:
28.8W
제조업자:
큐오르보
소개
QPD1000, Qorvo에서, RF JFET 트랜지스터입니다. 우리가 제공하는 것은 글로벌 시장에서 경쟁력있는 가격으로, 원본 및 새로운 부품입니다.상품에 대해 더 많이 알고 싶거나 저렴한 가격을 신청하면, 온라인 채팅을 통해 저희에게 연락하거나 우리에게 요금을 보내십시오!
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