SI8641ED-B-ISR
제조 업체:
실리콘 연구소
기술:
디지털 절연체 Quad Ch 5.0 kV Iso 150M 3/1 WB
범주:
반도체
상술
공통 모드 과도 내성(최소):
35kV/us
상품 카테고리:
디지털 아이솔레이터
전파 지연 tpLH/tpHL(최대):
13 나노 초, 13 나노 초
전압 전원:
2.5V ~ 5.5V
설치 유형:
표면 마운트형
전압 격리:
5000Vrms
상승/하강 시간(일반 값):
2.5 나노 초, 2.5 나노 초
절연 전원 장치:
아니
채널형:
단일 방향입니다
기술:
정전 결합
채널 수:
4
작동 온도:
-40' Ｃ ~ 125' Ｃ
펄스 폭 왜곡(최대):
4.5 나노 초
입력측 1/측 2:
3/1
타입의:
보편적
제조업자:
실리콘 실험실
패키지/쉘:
16-soic (0.295" ;7.50 밀리미터 폭)
자료 비율:
150Mbps
소개
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