NGB8207BNT4G
제조 업체:
리틀퓨즈
기술:
IGBT 트랜지스터 GEN3 IGBT D2PAK 350V TR
범주:
반도체
상술
상품 카테고리:
IGBT 트랜지스터
증가하는 방식:
SMD/SMT
Pd - 전력 소모:
165W
수집기 에미터 전압 VCEO 맥스:
365V
패키지 / 케이스:
D2PAK
최대 작업 온도:
+ 175 Ｃ
포장:
릴
최대 게이트 에미터 전압:
15 Ｖ
25 Ｃ에 있는 연속적인 컬렉터전류:
20 A
제조업자:
리틀퓨즈
소개
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