FGD5T120SH
제조 업체:
페어 차일드 반도체
기술:
IGBT 트랜지스터 1200V 5A Field Stop Trench IGBT
범주:
반도체
상술
게이트 발산기 누설 전류:
+/- 400 nA
상품 카테고리:
IGBT 트랜지스터
증가하는 방식:
SMD/SMT
25 Ｃ에 있는 연속적인 컬렉터전류:
10 A
Pd - 전력 소모:
69 Ｗ
수집기 에미터 전압 VCEO 맥스:
1.2 kV
패키지 / 케이스:
D-PAK-3
최대 작업 온도:
+ 150 Ｃ
최대 게이트 에미터 전압:
+/- 25V
포장:
릴
구성:
싱글
콜렉터-에미터 포화전압:
2.9 Ｖ
제조업자:
페어 차일드 반도체
소개
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