NGTB40N120FL2WG
제조 업체:
1개
기술:
IGBT 트랜지스터 1200V/40A FAST IGBT FSII
범주:
반도체
상술
게이트 발산기 누설 전류:
200 nA
상품 카테고리:
IGBT 트랜지스터
증가하는 방식:
구멍을 통해
25 Ｃ에 있는 연속적인 컬렉터전류:
80A
Pd - 전력 소모:
535W
수집기 에미터 전압 VCEO 맥스:
1200 Ｖ
패키지 / 케이스:
TO-247
최대 작업 온도:
+ 175 Ｃ
최대 게이트 에미터 전압:
30V
포장:
튜브
구성:
싱글
콜렉터-에미터 포화전압:
2 Ｖ
제조업자:
반
소개
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| 이미지 | 부분 # | 기술 | |
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FGA25N120ANTD |
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