2SCR514P5T100
제조 업체:
롬 반도체
기술:
양극성 트랜지스터 - BJT NPN 80V Vceo 700mA Ic MPT3
범주:
반도체
상술
트랜지스터 극성:
NPN
상품 카테고리:
바이폴라 트랜지스터 - BJT
증가하는 방식:
SMD/SMT
최대 DC 컬렉터 전류:
700 마
수집기 에미터 전압 VCEO 맥스:
80 Ｖ
패키지 / 케이스:
SC-62-3
최대 작업 온도:
+ 150 Ｃ
이득 대역폭 제품 fT:
320 마하즈
구성:
싱글
수집기 기본 전압 VCBO:
80 Ｖ
시리즈:
2SxR
방출기 기본 전압 VEBO:
6 Ｖ
콜렉터-에미터 포화전압:
100 mV
제조업자:
롬 반도체
소개
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