MRF5812GR1
제조 업체:
미크로세미 코퍼레이션
기술:
RF 트랜스 NPN 15V 5GHZ 8SO
범주:
분리된 반도체 제품
상술
분류:
개별 반도체 제품 트랜지스터 양극(BJT) 양극 RF 트랜지스터
경향 - 수집기 (Ic) (맥스):
200mA
제품 상태:
구식
트랜지스터형:
NPN
장착형:
표면 마운트
주파수 - 변화:
5GHz
패키지:
테이프 & 롤 (TR)
절단 테이프 (CT)
디기 릴®
시리즈:
-
전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스):
15V
공급자의 장치 패키지:
8-SO
Mfr:
마이크로세미
소음 지수 (Ｆ에 있는 dB Typ):
500MHz에서 2dB ~ 3dB
전원 - 맥스:
1.25W
이득:
13dB ~ 15.5dB
패키지 / 케이스:
8-SOIC (0.154", 3.90mm 너비)
작동 온도:
-
Ic, 프스에 있는 직류 전류 이득 (hFE) (민):
50 @ 50mA, 5V
기본 제품 번호:
MRF5812
소개
RF 트랜지스터 NPN 15V 200mA 5GHz 1.25W 표면 마운트 8-SO
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