상술
분류:
개별 반도체 제품 트랜지스터 양극성(BJT) 양극성 트랜지스터 어레이
경향 - 수집기 (Ic) (맥스):
10A
제품 상태:
구식
트랜지스터형:
3 NPN, 3 PNP 달링턴(3상 브리지)
장착형:
구멍을 통해
주파수 - 변화:
50MHz
패키지:
튜브
시리즈:
-
Ib, Ic에 있는 프스 포화 (맥스):
1.5V @ 12mA, 6A
전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스):
60V
공급자의 장치 패키지:
12-SIP
Mfr:
Sanken Electric USA Inc.
경향 - 집전기 절단 (맥스):
10μA(ICBO)
전원 - 맥스:
5W
패키지 / 케이스:
12-SIP 노출 탭
작동 온도:
150' C (TJ)
Ic, 프스에 있는 직류 전류 이득 (hFE) (민):
2000 @ 6A, 4V
기본 제품 번호:
SLA60
소개
양극적 (BJT) 트랜지스터 배열 3 NPN, 3 PNP 다링턴 (3-Phase Bridge) 60V 10A 50MHz 5W Through Hole 12-SIP
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