EMD22T2R
제조 업체:
롬 반도체
범주:
분리된 반도체 제품
상술
분류:
개별 반도체 제품 트랜지스터 양극성(BJT) 양극성 트랜지스터 어레이, 사전 바이어스됨
경향 - 수집기 (Ic) (맥스):
100mA
제품 상태:
액티브
트랜지스터형:
NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중)
주파수 - 변화:
250MHz
장착형:
표면 마운트
패키지:
테이프 & 롤 (TR)
절단 테이프 (CT)
디기 릴®
시리즈:
-
Ib, Ic에 있는 프스 포화 (맥스):
250μA에서 300mV, 2.5mA
전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스):
50V
공급자의 장치 패키지:
EMT6
저항기 - 토대 (R1):
4.7kΩ
Mfr:
롬 반도체
저항기 - 방출기 베이스 (R2):
47kΩ
경향 - 집전기 절단 (맥스):
500nA
전원 - 맥스:
150mW
패키지 / 케이스:
SOT-563, SOT-666
Ic, 프스에 있는 직류 전류 이득 (hFE) (민):
80 @ 10mA, 5V
기본 제품 번호:
EMD22
소개
사전 편향된 양극 트랜지스터 (BJT) 1 NPN, 1 PNP - 사전 편향된 (두중) 50V 100mA 250MHz 150mW 표면 마운트 EMT6
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