PBLS6003D115
제조 업체:
넥스페리아 USA Inc.
범주:
분리된 반도체 제품
상술
분류:
개별 반도체 제품 트랜지스터 양극성(BJT) 양극성 트랜지스터 어레이, 사전 바이어스됨
경향 - 수집기 (Ic) (맥스):
100mA, 700mA
제품 상태:
액티브
트랜지스터형:
NPN 사전 바이어스 1개, PNP 1개
주파수 - 변화:
185MHz
장착형:
표면 마운트
패키지:
테이프 & 롤 (TR)
절단 테이프 (CT)
디기 릴®
시리즈:
-
Ib, Ic에 있는 프스 포화 (맥스):
150mV @ 500μA, 10mA / 340mV @ 100mA, 1A
전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스):
50V, 60V
공급자의 장치 패키지:
6-TSOP
저항기 - 토대 (R1):
10k옴
Mfr:
넥스페리아 미국 Inc.
저항기 - 방출기 베이스 (R2):
10k옴
경향 - 집전기 절단 (맥스):
1μA, 100nA
전원 - 맥스:
600mW
패키지 / 케이스:
SC-74, SOT-457
Ic, 프스에 있는 직류 전류 이득 (hFE) (민):
30 @ 5mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V
기본 제품 번호:
PBLS6003
소개
사전 편향된 양극 트랜지스터 (BJT) 1 NPN 사전 편향된, 1 PNP 50V, 60V 100mA, 700mA 185MHz 600mW 표면 마운트 6-TSOP
가격 요구를 보내세요
주식:
MOQ: