상술
트랜지스터 극성:
엔-채널
높이:
20 밀리미터
증가하는 방식:
구멍을 통해
길이:
15.5mm
Id - 연속배수 경향:
15 A
상품 카테고리:
반도체-집적회로 - IC
하위범주:
MOSFET
패키지 / 케이스:
TO-3PN-3
Vds - 드레인-소스 항복 전압:
500 V
기술:
Si
구성:
싱글
너비:
4.5 밀리미터
채널 수:
1개 채널
양 공장 팩:
50
Rds에 - 드레인-소스 저항:
400 모엠에스
제조업자:
토시바 반도체
소개
토시바 반도체의 2SK2698은 반도체 통합 회로입니다. 우리가 제공하는 것은 글로벌 시장에서 경쟁력있는 가격으로,상품에 대해 더 많이 알고 싶거나 저렴한 가격을 신청하면, 온라인 채팅을 통해 저희에게 연락하거나 우리에게 요금을 보내십시오!
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