MRF8P29300HR6
제조 업체:
NXP USA Inc.
기술:
FET 무선주파수 2CH 65V 2.9GHZ NI1230
범주:
분리된 반도체 제품
상술
분류:
개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET RF FET, MOSFET
제품 상태:
액티브
장착형:
섀시 마운트
전압 - 평가됩니다:
65 Ｖ
패키지:
테이프 & 롤 (TR)
구성:
듀얼
시리즈:
-
소음 지수:
-
공급자의 장치 패키지:
NI-1230
전압 - 테스트:
30V
Mfr:
NXP 미국 Inc.
빈도:
2.9GHZ
이득:
13.3dB
패키지 / 케이스:
NI-1230
경향 - 테스트:
100 마
전원 - 생산:
320W
기술:
라이드모스
전류 등급 (Amps):
-
기본 제품 번호:
MRF8P29300
소개
RF 모스페트 30V 100mA 2.9GHz 13.3dB 320W NI-1230
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| 이미지 | 부분 # | 기술 | |
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AFT21S230SR3 |
FET RF 65V 2.11GHZ NI780S-6
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