PDTC123JT,215
제조 업체:
넥스페리아 USA Inc.
기술:
트랜스 프리바이어스 NPN 50V TO236AB
범주:
분리된 반도체 제품
상술
분류:
개별 반도체 제품 트랜지스터 양극(BJT) 단일, 사전 바이어스 양극 트랜지스터
경향 - 수집기 (Ic) (맥스):
100 마
제품 상태:
액티브
트랜지스터형:
NPN - 미리 바이어싱시킨
장착형:
표면 마운트
패키지:
테이프 & 롤 (TR)
절단 테이프 (CT)
디기 릴®
시리즈:
-
Ib, Ic에 있는 프스 포화 (맥스):
250μA에서 100mV, 5mA
전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스):
50 Ｖ
공급자의 장치 패키지:
TO-236AB
저항기 - 토대 (R1):
2.2 크옴스
Mfr:
넥스페리아 미국 Inc.
저항기 - 방출기 베이스 (R2):
47 크옴스
경향 - 집전기 절단 (맥스):
1uA
전원 - 맥스:
250mW
패키지 / 케이스:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Ic, 프스에 있는 직류 전류 이득 (hFE) (민):
100 @ 10mA, 5V
기본 제품 번호:
PDTC123
소개
미리 바이어싱시킨 바이폴라 트랜지스터 (BJT) NPN - 미리 바이어싱시킨 50 Ｖ 100 마 250 mW 표면 부착 TO-236AB
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